CJAB55N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJAB55N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для CJAB55N03
CJAB55N03 Datasheet (PDF)
cjab55n03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications
cjab55n03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications
Другие MOSFET... CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , CJAB35P03 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , AON6414A , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 , CJAC10TH10 , CJAC110N03 , CJAC110SN10 .
History: R6535KNZ1
History: R6535KNZ1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50