CJAB55N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAB55N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAB55N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB55N03 даташит

 ..1. Size:1663K  1
 cjab55n03.pdf pdf_icon

CJAB55N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.3 3.3-8L 5.5m @10V 30 V 55A 9.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:1663K  jiangsu
 cjab55n03.pdf pdf_icon

CJAB55N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.3 3.3-8L 5.5m @10V 30 V 55A 9.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Другие IGBT... CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04, CJAB25P03, CJAB25SN06, CJAB35P03, CJAB40N03, CJAB40SN10, IRFB4115, CJAB60N03, CJAC0410, CJAC100P03, CJAC100SN08, CJAC10H02, CJAC10TH10, CJAC110N03, CJAC110SN10