Справочник MOSFET. CJAB55N03

 

CJAB55N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAB55N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для CJAB55N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB55N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1663K  1
 cjab55n03.pdf pdf_icon

CJAB55N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:1663K  jiangsu
 cjab55n03.pdf pdf_icon

CJAB55N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Другие MOSFET... CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , CJAB35P03 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , IRFP250N , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 , CJAC10TH10 , CJAC110N03 , CJAC110SN10 .

History: AUIRFB4410 | S80N08RP | FTK4435 | CMUDM7005 | CM220N04

 

 
Back to Top

 


 
.