CJAC20N03 Todos los transistores

 

CJAC20N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC20N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 10 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 8(max) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 138 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFNWB5X6-8L

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CJAC20N03 Datasheet (PDF)

0.1. cjac20n03.pdf Size:1729K _jiangsu

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJAC20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

7.1. cjac20n10.pdf Size:2232K _jiangsu

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB56-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra

 

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