CJAC20N03 Todos los transistores

 

CJAC20N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC20N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L
 

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CJAC20N03 PDF Specs

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CJAC20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB5 6-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra... See More ⇒

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CJAC20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB5 6-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra... See More ⇒

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