CJAC20N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAC20N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAC20N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC20N03 даташит

 ..1. Size:1729K  1
 cjac20n03.pdf pdf_icon

CJAC20N03

 ..2. Size:1729K  jiangsu
 cjac20n03.pdf pdf_icon

CJAC20N03

 7.1. Size:2232K  1
 cjac20n10.pdf pdf_icon

CJAC20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB5 6-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra

 7.2. Size:2232K  jiangsu
 cjac20n10.pdf pdf_icon

CJAC20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB5 6-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJAC100P03, CJAC100SN08, CJAC10H02, CJAC10TH10, CJAC110N03, CJAC110SN10, CJAC13TH06, CJAC150N03, IRF9540N, CJAC20N10, CJAC40N04, CJAC50P03, CJAC70N03, CJAC75SN10, CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002