Справочник MOSFET. CJAC20N03

 

CJAC20N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJAC20N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 8(max) ns

Выходная емкость (Cd): 138 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

Аналог (замена) для CJAC20N03

 

 

CJAC20N03 Datasheet (PDF)

0.1. cjac20n03.pdf Size:1729K _jiangsu

CJAC20N03
CJAC20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJAC20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

7.1. cjac20n10.pdf Size:2232K _jiangsu

CJAC20N03
CJAC20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB56-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top