CJAC50P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC50P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 695 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: PDFNWB5X6-8L

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CJAC50P03 datasheet

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CJAC50P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A 7m @-10V -30V DESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

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