CJAC50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJAC50P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 84 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 695 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L

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CJAC50P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:2705K jiangsu
cjac50p03.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A7m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

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