CJAC50P03 Todos los transistores

 

CJAC50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC50P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 695 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de CJAC50P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJAC50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2705K  jiangsu
 cjac50p03.pdf pdf_icon

CJAC50P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A7m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

Otros transistores... CJAC10TH10 , CJAC110N03 , CJAC110SN10 , CJAC13TH06 , CJAC150N03 , CJAC20N03 , CJAC20N10 , CJAC40N04 , 5N60 , CJAC70N03 , CJAC75SN10 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K .

History: AUIRF540ZS | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | SQS401EN | 2N6917 | PD1503YVS

 

 
Back to Top

 


 
.