CJAC50P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAC50P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAC50P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC50P03 даташит

 ..1. Size:2705K  jiangsu
 cjac50p03.pdf pdf_icon

CJAC50P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A 7m @-10V -30V DESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

Другие IGBT... CJAC10TH10, CJAC110N03, CJAC110SN10, CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, CJAC40N04, IRLB4132, CJAC70N03, CJAC75SN10, CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K