CJAC50P03 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJAC50P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJAC50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
 

 Аналог (замена) для CJAC50P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2705K  jiangsu
 cjac50p03.pdf pdf_icon

CJAC50P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A7m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

Другие MOSFET... CJAC10TH10 , CJAC110N03 , CJAC110SN10 , CJAC13TH06 , CJAC150N03 , CJAC20N03 , CJAC20N10 , CJAC40N04 , 5N60 , CJAC70N03 , CJAC75SN10 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K .

History: SISA18DN

 

 
Back to Top

 


 
.