Справочник MOSFET. CJAC50P03

 

CJAC50P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAC50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2705K  jiangsu
 cjac50p03.pdf pdf_icon

CJAC50P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A7m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMN12N105C2 | STB18NF25 | SFG10R12BF | NTMD6P02R2 | YJL3134KW | MSQ7434N | STT3458N

 

 
Back to Top

 


 
.