Справочник MOSFET. CJAC50P03

 

CJAC50P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJAC50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

 Аналог (замена) для CJAC50P03

 

 

CJAC50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2705K  jiangsu
 cjac50p03.pdf

CJAC50P03 CJAC50P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC50P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -50A7m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High den

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top