CJAC75SN10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC75SN10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 357 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: PDFNWB5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de CJAC75SN10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJAC75SN10 datasheet

 ..1. Size:1037K  jiangsu
 cjac75sn10.pdf pdf_icon

CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L-D Plastic-EncapsulateMOSFETS CJAC75SN10 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID PDFN 5 6-8L 8.0m @10V 100V 75A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAC75SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications . FEATURES High

 9.1. Size:2356K  jiangsu
 cjac70n03.pdf pdf_icon

CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L-D Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L-D 4.3m @10V 30 V 70A 6.0m @4.5V DESCRIPTION The CJAC70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Otros transistores... CJAC110SN10, CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, CJAC40N04, CJAC50P03, CJAC70N03, K3569, CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K