Справочник MOSFET. CJAC75SN10

 

CJAC75SN10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJAC75SN10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138.9 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 40 nC

Время нарастания (tr): 5.2 ns

Выходная емкость (Cd): 357 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

Аналог (замена) для CJAC75SN10

 

 

CJAC75SN10 Datasheet (PDF)

0.1. cjac75sn10.pdf Size:1037K _jiangsu

CJAC75SN10
CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L-D Plastic-EncapsulateMOSFETS CJAC75SN10 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)TYP ID PDFN 56-8L 8.0m@10V100V 75A10.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC75SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications . FEATURES High

9.1. cjac70n03.pdf Size:2356K _jiangsu

CJAC75SN10
CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-D Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYPPDFN 56-8L-D 4.3m@10V30 V70A6.0m@4.5VDESCRIPTION The CJAC70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top