CJAC75SN10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAC75SN10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAC75SN10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC75SN10 даташит

 ..1. Size:1037K  jiangsu
 cjac75sn10.pdf pdf_icon

CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L-D Plastic-EncapsulateMOSFETS CJAC75SN10 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID PDFN 5 6-8L 8.0m @10V 100V 75A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAC75SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications . FEATURES High

 9.1. Size:2356K  jiangsu
 cjac70n03.pdf pdf_icon

CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L-D Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L-D 4.3m @10V 30 V 70A 6.0m @4.5V DESCRIPTION The CJAC70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие IGBT... CJAC110SN10, CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, CJAC40N04, CJAC50P03, CJAC70N03, 2SK3568, CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K