Справочник MOSFET. CJAC75SN10

 

CJAC75SN10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAC75SN10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
 

 Аналог (замена) для CJAC75SN10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC75SN10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1037K  jiangsu
 cjac75sn10.pdf pdf_icon

CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L-D Plastic-EncapsulateMOSFETS CJAC75SN10 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)TYP ID PDFN 56-8L 8.0m@10V100V 75A10.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC75SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications . FEATURES High

 9.1. Size:2356K  jiangsu
 cjac70n03.pdf pdf_icon

CJAC75SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-D Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYPPDFN 56-8L-D 4.3m@10V30 V70A6.0m@4.5VDESCRIPTION The CJAC70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие MOSFET... CJAC110SN10 , CJAC13TH06 , CJAC150N03 , CJAC20N03 , CJAC20N10 , CJAC40N04 , CJAC50P03 , CJAC70N03 , SPP20N60C3 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K .

History: IRHLUBC7970Z4 | STP60NF06 | IXFP16N50P | NTF6P02T3G | PHD18NQ10T | NTB60N06G | 2N7224

 

 
Back to Top

 


 
.