CJAC90SN12 Todos los transistores

 

CJAC90SN12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC90SN12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 472 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJAC90SN12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1170K  1
 cjac90sn12.pdf pdf_icon

CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB56-8L 120V 6.8m@10V 90ADESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

 ..2. Size:1170K  jiangsu
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CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB56-8L 120V 6.8m@10V 90ADESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

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History: CRTT029N06N | AOK160A60FDL | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | IRF7779L2TRPBF | SGSP341

 

 
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