CJAC90SN12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC90SN12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 472 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: PDFNWB5X6-8L

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CJAC90SN12 datasheet

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CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB5 6-8L 120V 6.8m @10V 90A DESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

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CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB5 6-8L 120V 6.8m @10V 90A DESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

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