Справочник MOSFET. CJAC90SN12

 

CJAC90SN12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJAC90SN12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 472 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

 Аналог (замена) для CJAC90SN12

 

 

CJAC90SN12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1170K  1
 cjac90sn12.pdf

CJAC90SN12 CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB56-8L 120V 6.8m@10V 90ADESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

 ..2. Size:1170K  jiangsu
 cjac90sn12.pdf

CJAC90SN12 CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB56-8L 120V 6.8m@10V 90ADESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top