CJAC90SN12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAC90SN12  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 472 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAC90SN12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC90SN12 даташит

 ..1. Size:1170K  1
 cjac90sn12.pdf pdf_icon

CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB5 6-8L 120V 6.8m @10V 90A DESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

 ..2. Size:1170K  jiangsu
 cjac90sn12.pdf pdf_icon

CJAC90SN12

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC90SN12 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB5 6-8L 120V 6.8m @10V 90A DESCRIPTION The CJAC90SN12 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High P

Другие IGBT... CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, CJAC40N04, CJAC50P03, CJAC70N03, CJAC75SN10, CJAC80N03, AO3401, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K, CJBB3139K, CJBD3020