CJAE2002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAE2002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: DFNWB3X3-8-L

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CJAE2002 datasheet

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CJAE2002

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3 3-8 -L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAE2002 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP DFNWB3 3-8 -L m @4.5V 4.4 4.5m @4.0V 18V 15A 4.6 m @3.8V m @3.1 V 4.9 5.4m @2.5V DESCRIPTION The CJAE2002 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This d

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