Справочник MOSFET. CJAE2002

 

CJAE2002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJAE2002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X3-8-L

 Аналог (замена) для CJAE2002

 

 

CJAE2002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  jiangsu
 cjae2002.pdf

CJAE2002

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8 -L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAE2002 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP DFNWB33-8 -Lm@4.5V4.4 4.5m@4.0V18V 15A4.6 m@3.8Vm@3.1V4.95.4m@2.5VDESCRIPTION The CJAE2002 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top