CJAE2002 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJAE2002 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJAE2002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X3-8-L
 

 Аналог (замена) для CJAE2002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAE2002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  jiangsu
 cjae2002.pdf pdf_icon

CJAE2002

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8 -L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAE2002 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP DFNWB33-8 -Lm@4.5V4.4 4.5m@4.0V18V 15A4.6 m@3.8Vm@3.1V4.95.4m@2.5VDESCRIPTION The CJAE2002 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This d

Другие MOSFET... CJAC20N03 , CJAC20N10 , CJAC40N04 , CJAC50P03 , CJAC70N03 , CJAC75SN10 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , IRF9540N , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 .

 

 
Back to Top

 


 
.