Справочник MOSFET. CJAE2002

 

CJAE2002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJAE2002

Маркировка: 2002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 18 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 26.5 nC

Время нарастания (tr): 8.9 ns

Выходная емкость (Cd): 315 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DFNWB3X3-8-L

Аналог (замена) для CJAE2002

 

 

CJAE2002 Datasheet (PDF)

0.1. cjae2002.pdf Size:519K _jiangsu

CJAE2002

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8 -L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAE2002 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP DFNWB33-8 -Lm@4.5V4.4 4.5m@4.0V18V 15A4.6 m@3.8Vm@3.1V4.95.4m@2.5VDESCRIPTION The CJAE2002 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top