CJBD3020 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJBD3020  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: PDFNWB3.3X3.3-8L-B

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CJBD3020 datasheet

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CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L-B 9.5m @10V 30 V 20A 14.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L-B 9.5m @10V 30 V 20A 14.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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