Справочник MOSFET. CJBD3020

 

CJBD3020 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJBD3020
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L-B

 Аналог (замена) для CJBD3020

 

 

CJBD3020 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2049K  1
 cjbd3020.pdf

CJBD3020 CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.33.3-8L-B9.5m@10V30 V20A14.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:2049K  jiangsu
 cjbd3020.pdf

CJBD3020 CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.33.3-8L-B9.5m@10V30 V20A14.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top