CJBD3020 - описание и поиск аналогов

 

CJBD3020 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJBD3020
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L-B
 

 Аналог (замена) для CJBD3020

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBD3020 технические параметры

 ..1. Size:2049K  1
 cjbd3020.pdf pdf_icon

CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L-B 9.5m @10V 30 V 20A 14.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:2049K  jiangsu
 cjbd3020.pdf pdf_icon

CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L-B 9.5m @10V 30 V 20A 14.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Другие MOSFET... CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , IRF1010E , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 .

 

 
Back to Top

 


 
.