Справочник MOSFET. CJBD3020

 

CJBD3020 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJBD3020

Маркировка: D3020

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 14 nC

Время нарастания (tr): 8(max) ns

Выходная емкость (Cd): 138 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L-B

Аналог (замена) для CJBD3020

 

 

CJBD3020 Datasheet (PDF)

0.1. cjbd3020.pdf Size:2049K _jiangsu

CJBD3020
CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.33.3-8L-B9.5m@10V30 V20A14.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top