CJBD3020 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJBD3020  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L-B

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJBD3020

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBD3020 даташит

 ..1. Size:2049K  1
 cjbd3020.pdf pdf_icon

CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L-B 9.5m @10V 30 V 20A 14.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:2049K  jiangsu
 cjbd3020.pdf pdf_icon

CJBD3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBD3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L-B 9.5m @10V 30 V 20A 14.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Другие IGBT... CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K, CJBB3139K, IRFB3607, CJBE5005, CJBM3020, CEC2088E, CEC3172, CED20N02, CEU20N02, CED25N02, CEU25N02