CJBE5005 Todos los transistores

 

CJBE5005 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJBE5005

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: DFNWB3X3-8L-K

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CJBE5005 datasheet

 ..1. Size:1555K  jiangsu
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CJBE5005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-K Plastic-Encapsulate MOSFETS CJBE5005 Dual N-Channel MOSFET DFNWB3 3-8L-K ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 9.3 m @4.5V m 9.7 @4.0V 10A 20V 10.0m @3.8V m 0.7 @3.1V 1 m 12.5 @2.5V DESCRIPTION The CJBE5005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Otros transistores... CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , IRFB3607 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 .

History: NTMS4177PR | 20N03

 

 

 

 

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