CJBE5005 Todos los transistores

 

CJBE5005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJBE5005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB3X3-8L-K
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJBE5005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1555K  jiangsu
 cjbe5005.pdf pdf_icon

CJBE5005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-K Plastic-Encapsulate MOSFETS CJBE5005 Dual N-Channel MOSFETDFNWB33-8L-KIDV(BR)DSS RDS(on)TYP 9.3 m@4.5Vm9.7@4.0V10A20V 10.0m@3.8Vm0.7 @3.1V1m 12.5@2.5VDESCRIPTION The CJBE5005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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