CJBE5005. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CJBE5005
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-K
Аналог (замена) для CJBE5005
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJBE5005 даташит
cjbe5005.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-K Plastic-Encapsulate MOSFETS CJBE5005 Dual N-Channel MOSFET DFNWB3 3-8L-K ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 9.3 m @4.5V m 9.7 @4.0V 10A 20V 10.0m @3.8V m 0.7 @3.1V 1 m 12.5 @2.5V DESCRIPTION The CJBE5005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.
Другие MOSFET... CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , IRFB3607 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent

