CJBE5005 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJBE5005
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-K
Аналог (замена) для CJBE5005
CJBE5005 Datasheet (PDF)
cjbe5005.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-K Plastic-Encapsulate MOSFETS CJBE5005 Dual N-Channel MOSFETDFNWB33-8L-KIDV(BR)DSS RDS(on)TYP 9.3 m@4.5Vm9.7@4.0V10A20V 10.0m@3.8Vm0.7 @3.1V1m 12.5@2.5VDESCRIPTION The CJBE5005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.
Другие MOSFET... CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , IRF1407 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM10N15D | AGM1099S | AGM1099EY | AGM1099E | AGM1099D | AGM1095MN | AGM1095MAP | AGM1075S | AGM1075MNA | AGM1075MN | AGM1075MBP | AGM1075-G | AGM1075D | AGM1030MNA | AGM1030MBP | AGM042N10A
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent


