CJBM3020 Todos los transistores

 

CJBM3020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJBM3020
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB3X3-8L-BE
 

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CJBM3020 Datasheet (PDF)

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CJBM3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8L-BE Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBM3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB33-8L-BE8.5m@10V30 V 20A11.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Otros transistores... CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , AON7506 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 .

History: 2SK3075 | BSC010N04LSI | 2SK302 | 2SK3077 | IRLR7811WCPBF

 

 
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