Аналоги CJBM3020. Основные параметры
Наименование производителя: CJBM3020
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-BE
Аналог (замена) для CJBM3020
CJBM3020 даташит
cjbm3020.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3 3-8L-BE Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBM3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB3 3-8L-BE 8.5m @10V 30 V 20A 11.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE
Другие MOSFET... CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , AON6380 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923


