Справочник MOSFET. CJBM3020

 

CJBM3020 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJBM3020
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-BE
 

 Аналог (замена) для CJBM3020

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBM3020 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2212K  jiangsu
 cjbm3020.pdf pdf_icon

CJBM3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8L-BE Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBM3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB33-8L-BE8.5m@10V30 V 20A11.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие MOSFET... CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , IRLZ44N , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 .

History: TT8K11 | STF28NM50N | UPA1918 | TPD60R840C | PSMN010-80YL | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.