Справочник MOSFET. CJBM3020

 

CJBM3020 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJBM3020

Маркировка: BM3020

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 8(max) ns

Выходная емкость (Cd): 138 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-BE

Аналог (замена) для CJBM3020

 

 

CJBM3020 Datasheet (PDF)

0.1. cjbm3020.pdf Size:2212K _jiangsu

CJBM3020
CJBM3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8L-BE Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBM3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB33-8L-BE8.5m@10V30 V 20A11.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top