Справочник MOSFET. CJBM3020

 

CJBM3020 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJBM3020
   Маркировка: BM3020
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-BE

 Аналог (замена) для CJBM3020

 

 

CJBM3020 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2212K  jiangsu
 cjbm3020.pdf

CJBM3020 CJBM3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB33-8L-BE Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFETCJBM3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB33-8L-BE8.5m@10V30 V 20A11.5m@4.5VDESCRIPTION The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top