CJBM3020 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJBM3020  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-BE

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJBM3020

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBM3020 даташит

 ..1. Size:2212K  jiangsu
 cjbm3020.pdf pdf_icon

CJBM3020

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3 3-8L-BE Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJBM3020 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB3 3-8L-BE 8.5m @10V 30 V 20A 11.5m @4.5V DESCRIPTION The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

Другие IGBT... CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K, CJBB3139K, CJBD3020, CJBE5005, RFP50N06, CEC2088E, CEC3172, CED20N02, CEU20N02, CED25N02, CEU25N02, CEM2192, CEM4052