CEC2088E Todos los transistores

 

CEC2088E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEC2088E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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CEC2088E datasheet

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CEC2088E

CEC2088E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D D 20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V. G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 *Typical value by design Lead-free plating ; RoHS compliant. ESD Protected 2000 V. D2

Otros transistores... CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , IRF530 , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L .

History: BRD3N25 | IRF3415PBF | WMK043N10LGS | WMJ80N60C4

 

 

 

 

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