CEC2088E Todos los transistores

 

CEC2088E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEC2088E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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CEC2088E Datasheet (PDF)

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CEC2088E

CEC2088EN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD D20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V.G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2*Typical value by designLead-free plating ; RoHS compliant.ESD Protected: 2000 V. D2

Otros transistores... CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , AO4407 , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L .

History: 2SJ661-DL-E

 

 
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