CEC3172 Todos los transistores

 

CEC3172 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEC3172

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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CEC3172 datasheet

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CEC3172

CEC3172 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D 30V, 26A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. S D D D D 5 6 7 8 Bottom View DFN3*3 4 3 2 1 G S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Otros transistores... CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CS150N03A8 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 .

History: CEF9060N | CED25N02

 

 

 

 

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