CEC3172 Todos los transistores

 

CEC3172 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEC3172
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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CEC3172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  cet
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CEC3172

CEC3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD30V, 26A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).GHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.SD D D D5 6 7 8Bottom ViewDFN3*34 3 2 1G S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Otros transistores... CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , IRLB4132 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 .

History: HUF76013D3S | PE5A1BA | SSM5N05FU | HGA155N15S | NCE65T260K | AP4434GM | TPV65R160C

 

 
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