Справочник MOSFET. CEC3172

 

CEC3172 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEC3172
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для CEC3172

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC3172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  cet
 cec3172.pdf pdf_icon

CEC3172

CEC3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD30V, 26A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).GHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.SD D D D5 6 7 8Bottom ViewDFN3*34 3 2 1G S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Другие MOSFET... CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , IRLB4132 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 .

History: MRF176GV | TPCA8A09-H | 2SK30ATM | STL9N60M2 | IPB083N10N3G | TF68N80 | DMG3413L

 

 
Back to Top

 


 
.