Справочник MOSFET. CEC3172

 

CEC3172 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEC3172
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC3172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  cet
 cec3172.pdf pdf_icon

CEC3172

CEC3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD30V, 26A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).GHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.SD D D D5 6 7 8Bottom ViewDFN3*34 3 2 1G S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UT3401ZL-AE3-R | UT7317 | BUK7K12-60E

 

 
Back to Top

 


 
.