CEC3172 - описание и поиск аналогов

 

CEC3172. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEC3172

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для CEC3172

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC3172 даташит

 ..1. Size:411K  cet
 cec3172.pdf pdf_icon

CEC3172

CEC3172 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D 30V, 26A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. S D D D D 5 6 7 8 Bottom View DFN3*3 4 3 2 1 G S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Другие MOSFET... CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CS150N03A8 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.