CEC3172 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEC3172
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для CEC3172
CEC3172 Datasheet (PDF)
cec3172.pdf

CEC3172N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD30V, 26A, RDS(ON) = 20m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).GHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.SD D D D5 6 7 8Bottom ViewDFN3*34 3 2 1G S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl
Другие MOSFET... CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , 5N65 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 .
History: 2SK534 | STM4880 | SM6020NSFP
History: 2SK534 | STM4880 | SM6020NSFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g