CED25N02 Todos los transistores

 

CED25N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED25N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de CED25N02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED25N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  cet
 ced25n02 ceu25n02.pdf pdf_icon

CED25N02

CED25N02/CEU25N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PA

 8.1. Size:410K  cet
 ceu25n15l ced25n15l.pdf pdf_icon

CED25N02

CED25N15L/CEU25N15LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI

Otros transistores... CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , 20N50 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 .

History: WMJ26N65SR | ECH8690 | PSMN2R5-30YL | IPB50N10S3L-16 | AON7318 | SUM110N04-05H | AOT472

 

 
Back to Top

 


 
.