CED25N02 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED25N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED25N02 Datasheet (PDF)
ced25n02 ceu25n02.pdf
CED25N02/CEU25N02 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PA
ceu25n15l ced25n15l.pdf
CED25N15L/CEU25N15L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXI
Другие MOSFET... CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , STP80NF70 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 .
History: PA010HK
History: PA010HK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213



