CEU25N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU25N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: TO252
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CEU25N02 datasheet
ced25n02 ceu25n02.pdf
CED25N02/CEU25N02 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PA
ceu25n15l ced25n15l.pdf
CED25N15L/CEU25N15L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXI
Otros transistores... CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , IRFP450 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N .
History: SWS4N65D | RUH6080R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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