Справочник MOSFET. CEU25N02

 

CEU25N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEU25N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 11 nC

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU25N02

 

 

CEU25N02 Datasheet (PDF)

0.1. ced25n02 ceu25n02.pdf Size:272K _cet

CEU25N02
CEU25N02

CED25N02/CEU25N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PA

8.1. ceu25n15l ced25n15l.pdf Size:410K _cet

CEU25N02
CEU25N02

CED25N15L/CEU25N15LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top