CEM4052 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM4052
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de CEM4052 MOSFET
CEM4052 Datasheet (PDF)
cem4052.pdf

CEM4052N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 16A, RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 10m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis
cem4042.pdf

CEM4042N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES40V, 18A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un
cem4042.pdf

CEM4042www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0045 at VGS = 10 V 18 100 % Rg and UIS Tested40 8 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 14.5APPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchD SO-8 SD1 8 G SD2 7 SD3 6 GD
Otros transistores... CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , IRFP450 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 .



Liste
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