CEM4052 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM4052
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Encapsulados: SO8
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CEM4052 datasheet
cem4052.pdf
CEM4052 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 16A, RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 10m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis
cem4042.pdf
CEM4042 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 18A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un
cem4042.pdf
CEM4042 www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0045 at VGS = 10 V 18 100 % Rg and UIS Tested 40 8 nC 0.0065 at VGS = 4.5 V 14.5 APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch D SO-8 SD 1 8 G SD 2 7 SD 3 6 GD
Otros transistores... CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , AO4407 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 .
History: CED25N02 | CEF9060N
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