CEM9288 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM9288
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: SO8
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CEM9288 datasheet
cem9288.pdf
CEM9288 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 10A, RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 20m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D1 D1 D2 D2 Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
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