CEM9288 Todos los transistores

 

CEM9288 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM9288
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM9288 Datasheet (PDF)

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CEM9288

CEM9288N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 10A, RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 20m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.D1 D1 D2 D2Surface mount Package.8 7 6 5SO-811 2 3 4S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

Otros transistores... CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , 10N65 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 .

History: LN2306LT1G | DMN3010LSS | AOB190A60CL | STP12NM50 | APT24F50B | DMN313DLT | APT6015JVFR

 

 
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