CEM9288 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEM9288
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CEM9288 Datasheet (PDF)
cem9288.pdf

CEM9288N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 10A, RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 20m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.D1 D1 D2 D2Surface mount Package.8 7 6 5SO-811 2 3 4S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NTMFS5830NL | IRC8405 | JFFM5N60C | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217
History: NTMFS5830NL | IRC8405 | JFFM5N60C | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933