CEF9060N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEF9060N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 765 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: TO220F
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CEF9060N datasheet
cep9060n ceb9060n cef9060n.pdf
CEP9060N/CEB9060N CEF9060N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP9060N 55V 10.5m 90A 10V CEB9060N 55V 10.5m 90A 10V CEF9060N 55V 10.5m 90A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for
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Liste
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