CEF9060N - аналоги и даташиты транзистора

 

CEF9060N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEF9060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 765 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF9060N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF9060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  cet
 cep9060n ceb9060n cef9060n.pdf pdf_icon

CEF9060N

CEP9060N/CEB9060N CEF9060NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP9060N 55V 10.5m 90A 10VCEB9060N 55V 10.5m 90A 10VCEF9060N 55V 10.5m 90A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for

Другие MOSFET... CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , 75N75 , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 .

History: SIA443DJ | P2504EDG | FDC6020C | IPT007N06N | IRF4104LPBF | IPT015N10N5 | SIHFPE50

 

 
Back to Top

 


 
.