Справочник MOSFET. CEF9060N

 

CEF9060N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEF9060N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 68.1 nC

Время нарастания (tr): 11.9 ns

Выходная емкость (Cd): 765 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF9060N

 

 

CEF9060N Datasheet (PDF)

0.1. cep9060n ceb9060n cef9060n.pdf Size:396K _cet

CEF9060N
CEF9060N

CEP9060N/CEB9060N CEF9060NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP9060N 55V 10.5m 90A 10VCEB9060N 55V 10.5m 90A 10VCEF9060N 55V 10.5m 90A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top