CEB93A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB93A3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 60 nC
Tiempo de elevación (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 980 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB93A3
CEB93A3 Datasheet (PDF)
0.1. cep93a3 ceb93a3.pdf 
Size:626K _cet
CEP93A3/CEB93A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES30V, 150A, RDS(ON) = 3.0 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.0 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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