CEB93A3 Todos los transistores

 

CEB93A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB93A3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 60 nC

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 980 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.003 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB93A3 Datasheet (PDF)

0.1. cep93a3 ceb93a3.pdf Size:626K _cet

CEB93A3
CEB93A3

CEP93A3/CEB93A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES30V, 150A, RDS(ON) = 3.0 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.0 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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