CEB93A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEB93A3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEB93A3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB93A3 даташит

 ..1. Size:626K  cet
 cep93a3 ceb93a3.pdf pdf_icon

CEB93A3

CEP93A3/CEB93A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 150A, RDS(ON) = 3.0 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.0 m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... CEM2192, CEM4052, CEM6056L, CEM9288, CEN2307A, CEN2321A, CEB6086, CEF9060N, TK10A60D, CES2322, CEZ3P08, CEZ3R04, CJCD2003, CJCD2004, CJCD2005, CJCD2007, CJDE8404