CEB93A3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEB93A3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CEB93A3
CEB93A3 Datasheet (PDF)
cep93a3 ceb93a3.pdf

CEP93A3/CEB93A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES30V, 150A, RDS(ON) = 3.0 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.0 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие MOSFET... CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , 10N65 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent