CES2322 Todos los transistores

 

CES2322 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CES2322
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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CES2322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cet
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CES2322

CES2322N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 6.2A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead-free plating ; RoHS compliant.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units

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 ces2323.pdf pdf_icon

CES2322

CES2323P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -4.2A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

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 ces2324.pdf pdf_icon

CES2322

CES2324N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 4.2A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead free product is acquired.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vo

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 ces2321a.pdf pdf_icon

CES2322

CES2321APRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -3.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 75m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit

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History: AO4294 | 2SK1608 | SM1A18NSQG | NCE8205I | FHF10N65A

 

 
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