CEZ3P08 Todos los transistores

 

CEZ3P08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEZ3P08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PR-PACK5X6
 

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CEZ3P08 Datasheet (PDF)

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CEZ3P08

CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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CEZ3P08

CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: TSD10N06AT | 2SK794 | LRK7002WT1G

 

 
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