CEZ3P08 Todos los transistores

 

CEZ3P08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEZ3P08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PR-PACK5X6

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CEZ3P08 datasheet

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CEZ3P08

CEZ3P08 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 m D D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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CEZ3P08

CEZ3P08 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 m D D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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