Аналоги CEZ3P08. Основные параметры
Наименование производителя: CEZ3P08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: PR-PACK5X6
Аналог (замена) для CEZ3P08
CEZ3P08 даташит
cez3p08.pdf
CEZ3P08 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 m D D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATI
cez3p08.pdf
CEZ3P08 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 m D D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Другие MOSFET... CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , SI2302 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent



