Справочник MOSFET. CEZ3P08

 

CEZ3P08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEZ3P08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PR-PACK5X6

 Аналог (замена) для CEZ3P08

 

 

CEZ3P08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  1
 cez3p08.pdf

CEZ3P08 CEZ3P08

CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 ..2. Size:364K  cet
 cez3p08.pdf

CEZ3P08 CEZ3P08

CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CEB3060

 

 
Back to Top