CEZ3P08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEZ3P08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PR-PACK5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEZ3P08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZ3P08 даташит

 ..1. Size:364K  1
 cez3p08.pdf pdf_icon

CEZ3P08

CEZ3P08 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 m D D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 ..2. Size:364K  cet
 cez3p08.pdf pdf_icon

CEZ3P08

CEZ3P08 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 m D D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие IGBT... CEM6056L, CEM9288, CEN2307A, CEN2321A, CEB6086, CEF9060N, CEB93A3, CES2322, STF13NM60N, CEZ3R04, CJCD2003, CJCD2004, CJCD2005, CJCD2007, CJDE8404, CJE3134K, CJE3139K