Справочник MOSFET. CEZ3P08

 

CEZ3P08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEZ3P08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PR-PACK5X6
 

 Аналог (замена) для CEZ3P08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZ3P08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  1
 cez3p08.pdf pdf_icon

CEZ3P08

CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 ..2. Size:364K  cet
 cez3p08.pdf pdf_icon

CEZ3P08

CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , IRFZ46N , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K .

History: AP86T02GH | SI4485DY | AO4803 | CAS100H12AM1 | SI2338DS | 24NM60L-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.