CEZ3P08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEZ3P08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 61 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 475 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: PR-PACK5X6
CEZ3P08 Datasheet (PDF)
0.1. cez3p08.pdf 
Size:364K _cet
CEZ3P08P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -61A, RDS(ON) @VGS = -10V. = 9 mD D D D RDS(ON) = 13 m @VGS = -4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
