CEZ3R04 Todos los transistores

 

CEZ3R04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEZ3R04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: PR-PACK5X6
 

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CEZ3R04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
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CEZ3R04

CEZ3R04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V.D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

Otros transistores... CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , 7N60 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 .

History: IXFH50N85X | DMP2170U | FQD3P20TF | FA38SA50LCP | AFN3402A | IXTH72N20 | 2SK1667

 

 
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