CEZ3R04 Todos los transistores

 

CEZ3R04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEZ3R04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: PR-PACK5X6
 

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CEZ3R04 Datasheet (PDF)

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CEZ3R04

CEZ3R04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V.D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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