CEZ3R04 Todos los transistores

 

CEZ3R04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEZ3R04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: PR-PACK5X6

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CEZ3R04 datasheet

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CEZ3R04

CEZ3R04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V. D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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