Справочник MOSFET. CEZ3R04

 

CEZ3R04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEZ3R04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: PR-PACK5X6
 

 Аналог (замена) для CEZ3R04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZ3R04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 cez3r04.pdf pdf_icon

CEZ3R04

CEZ3R04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V.D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

Другие MOSFET... CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , 7N60 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 .

History: FTK123 | FTK10N10 | BL30N30-A | HSU4103 | HGP640N25S | NTD4965N-1G | 2SK3058-Z

 

 
Back to Top

 


 
.