CEZ3R04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEZ3R04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15.8 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
Тип корпуса: PR-PACK5X6
Аналог (замена) для CEZ3R04
CEZ3R04 Datasheet (PDF)
cez3r04.pdf

CEZ3R04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V.D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
Другие MOSFET... CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , 7N60 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 .
History: CJ3139KDW
History: CJ3139KDW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor