CEZ3R04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEZ3R04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: PR-PACK5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEZ3R04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZ3R04 даташит

 ..1. Size:408K  cet
 cez3r04.pdf pdf_icon

CEZ3R04

CEZ3R04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V. D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

Другие IGBT... CEM9288, CEN2307A, CEN2321A, CEB6086, CEF9060N, CEB93A3, CES2322, CEZ3P08, 4N60, CJCD2003, CJCD2004, CJCD2005, CJCD2007, CJDE8404, CJE3134K, CJE3139K, CJFB30H20