CEZ3R04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEZ3R04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.8 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
Тип корпуса: PR-PACK5X6
CEZ3R04 Datasheet (PDF)
0.1. cez3r04.pdf 
Size:408K _cet
CEZ3R04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V.D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.1 2 3 4 S S S GPR-PACK (5*6)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
