CJCD2007 Todos los transistores

 

CJCD2007 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJCD2007

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: DFNWB2X3-6L-C

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CJCD2007 datasheet

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CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2007 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m 12.5 @4.5V m 13 @4.0V 20V 8A m @3.8V 13.5 m @3.1V 14.5 m 17 @2.5V DESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

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CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2005 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m @4.5V 9 @4.0V m 9.5 8A 20V 9.7m @3.8V m @3.1V 10.6 12.5 m @2.5V DESCRIPTION The CJCD2005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This dev

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CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2004 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m 7.3 @4.5V m 7.6 @4.0V 20V 10A 7.8m @3.8V 8.2m @3.1 V m 9.0 @2.5V DESCRIPTION The CJCD2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

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CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2003 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2 m @4.5V m 6.4 @4.0V 18V 10A m 6.8 @3.8V V 7.2 m @3.1 8.2 m @2.5V DESCRIPTION The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

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History: STF12N120K5 | FDBL9406F085 | CJE3134K

 

 

 

 

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