CJCD2007 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJCD2007 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJCD2007
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X3-6L-C

 Аналог (замена) для CJCD2007

 

CJCD2007 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1507K  jiangsu
 cjcd2007.pdf pdf_icon

CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2007 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m 12.5 @4.5V m 13 @4.0V 20V 8A m @3.8V 13.5 m @3.1V 14.5 m 17 @2.5V DESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

 7.1. Size:1794K  jiangsu
 cjcd2005.pdf pdf_icon

CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2005 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m @4.5V 9 @4.0V m 9.5 8A 20V 9.7m @3.8V m @3.1V 10.6 12.5 m @2.5V DESCRIPTION The CJCD2005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This dev

 7.2. Size:1698K  jiangsu
 cjcd2004.pdf pdf_icon

CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2004 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m 7.3 @4.5V m 7.6 @4.0V 20V 10A 7.8m @3.8V 8.2m @3.1 V m 9.0 @2.5V DESCRIPTION The CJCD2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

 7.3. Size:1603K  jiangsu
 cjcd2003.pdf pdf_icon

CJCD2007

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 3-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB2 3-6L-C CJCD2003 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2 m @4.5V m 6.4 @4.0V 18V 10A m 6.8 @3.8V V 7.2 m @3.1 8.2 m @2.5V DESCRIPTION The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , IRF2807 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 .

 

 
Back to Top

 


 
.