CJDE8404 Todos los transistores

 

CJDE8404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJDE8404
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB3X3-8L-U
 

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CJDE8404 Datasheet (PDF)

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CJDE8404

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJDE8404 N-Channel + P-Channel MOSFETDFNWB33-8L-UProduct Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D50m@-10V -30V -4A 80m@-4.5V 50m@10V 30V 5A 80m@4.5V Feature Low drain-source ON-resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement mo

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History: SQJ433EP | NP40N055MHE | ZXMN6A08GTA | MTD20N03HDLT4G | LSD55R066GT | CS7N65K | OSG70R2K6FF

 

 
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