CJDE8404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJDE8404
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: DFNWB3X3-8L-U
Búsqueda de reemplazo de CJDE8404 MOSFET
CJDE8404 Datasheet (PDF)
cjde8404.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJDE8404 N-Channel + P-Channel MOSFETDFNWB33-8L-UProduct Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D50m@-10V -30V -4A 80m@-4.5V 50m@10V 30V 5A 80m@4.5V Feature Low drain-source ON-resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement mo
Otros transistores... CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , IRFZ24N , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A .
History: 2SK2793 | STT04N20 | WNM2016-3 | BSC0906NS | BSC0921NDI | TMA2N60H | SM6032NSG
History: 2SK2793 | STT04N20 | WNM2016-3 | BSC0906NS | BSC0921NDI | TMA2N60H | SM6032NSG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40