CJDE8404 Todos los transistores

 

CJDE8404 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJDE8404

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DFNWB3X3-8L-U

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CJDE8404 datasheet

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CJDE8404

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJDE8404 N-Channel + P-Channel MOSFET DFNWB3 3-8L-U Product Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 50m @-10V -30V -4A 80m @-4.5V 50m @10V 30V 5A 80m @4.5V Feature Low drain-source ON-resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement mo

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