Справочник MOSFET. CJDE8404

 

CJDE8404 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJDE8404
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X3-8L-U
 

 Аналог (замена) для CJDE8404

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJDE8404 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2226K  jiangsu
 cjde8404.pdf pdf_icon

CJDE8404

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3X3-8L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJDE8404 N-Channel + P-Channel MOSFETDFNWB33-8L-UProduct Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D50m@-10V -30V -4A 80m@-4.5V 50m@10V 30V 5A 80m@4.5V Feature Low drain-source ON-resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement mo

Другие MOSFET... CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , IRF2807 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A .

History: AFC5606 | DMT7N65 | NTD5806NT4G

 

 
Back to Top

 


 
.