CJFB30H20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJFB30H20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB5X6-8L-E

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CJFB30H20 Datasheet (PDF)

..1. Size:2140K jiangsu
cjfb30h20.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB56-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB5x6-8L-E8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design 1to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

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Liste

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