CJFB30H20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJFB30H20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: DFNWB5X6-8L-E
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CJFB30H20 datasheet
cjfb30h20.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB5 6-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB5x6-8L-E 8.5m @10V 30 V 20A 12m @4.5V DESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design 1 to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
Otros transistores... CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , 8N60 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH .
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Liste
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