CJFB30H20 - описание и поиск аналогов

 

CJFB30H20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJFB30H20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFNWB5X6-8L-E

Аналог (замена) для CJFB30H20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJFB30H20 даташит

 ..1. Size:2140K  jiangsu
 cjfb30h20.pdf pdf_icon

CJFB30H20

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB5 6-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB5x6-8L-E 8.5m @10V 30 V 20A 12m @4.5V DESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design 1 to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , 8N60 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH .

History: FTK830P | 2SK1446 | WPT2N32

 

 

 

 

↑ Back to Top
.