Справочник MOSFET. CJFB30H20

 

CJFB30H20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJFB30H20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB5X6-8L-E
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJFB30H20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2140K  jiangsu
 cjfb30h20.pdf pdf_icon

CJFB30H20

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB56-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB5x6-8L-E8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design 1to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI4090DY | G68 | IPD50R280CE | IPD90N04S4-04 | HAT2040R | NDT6N70 | IXTQ230N085T

 

 
Back to Top

 


 
.