Справочник MOSFET. CJFB30H20

 

CJFB30H20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJFB30H20
   Маркировка: FB30H20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB5X6-8L-E

 Аналог (замена) для CJFB30H20

 

 

CJFB30H20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2140K  jiangsu
 cjfb30h20.pdf

CJFB30H20 CJFB30H20

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB56-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB5x6-8L-E8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design 1to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top