CJFB30H20 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJFB30H20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJFB30H20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB5X6-8L-E
 

 Аналог (замена) для CJFB30H20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJFB30H20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2140K  jiangsu
 cjfb30h20.pdf pdf_icon

CJFB30H20

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB56-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB5x6-8L-E8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design 1to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , K2611 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH .

History: RXH100N03 | AIMW120R045M1 | RW1C015UN | BLP065N10GL-P | MMFTN3019E | NCE2008E

 

 
Back to Top

 


 
.