CJK1211 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJK1211
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: SOT23
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CJK1211 datasheet
cjk1211.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK1211 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m 25 @-4.5V -12V -11A m @-2.5V 30 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Feature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance with low g
Otros transistores... CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , P60NF06 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 .
History: WPT2N32 | FTK830P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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