CJK1211 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJK1211
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de CJK1211 MOSFET
CJK1211 Datasheet (PDF)
cjk1211.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK1211 P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m25@-4.5V-12V -11Am@-2.5V301. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Feature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance with low g
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History: IRFI7536G | VST007N07MS | IXFX64N50Q3 | BLP065N08GL-Q | ME4454 | TSM1N45DCS | STI12NM50N
History: IRFI7536G | VST007N07MS | IXFX64N50Q3 | BLP065N08GL-Q | ME4454 | TSM1N45DCS | STI12NM50N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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