Справочник MOSFET. CJK1211

 

CJK1211 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJK1211
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK1211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1759K  jiangsu
 cjk1211.pdf pdf_icon

CJK1211

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK1211 P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m25@-4.5V-12V -11Am@-2.5V301. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Feature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance with low g

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMO14N60C4 | MDH3331RP | FQD11P06TM | UPA2351T1G | 2SK3523-01R | AP18T10AGH-HF | RU6888S

 

 
Back to Top

 


 
.