Справочник MOSFET. CJK1211

 

CJK1211 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJK1211
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для CJK1211

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK1211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1759K  jiangsu
 cjk1211.pdf pdf_icon

CJK1211

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK1211 P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m25@-4.5V-12V -11Am@-2.5V301. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Feature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance with low g

Другие MOSFET... CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , AO3401 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 .

History: SVG108R5NAT | IXTP4N90A | BSS138BK | SVSP14N60FJDD2 | AP18T10AGH-HF | ZXMP6A17E6TA | STW56N60M2-4

 

 
Back to Top

 


 
.