CJK2009 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJK2009
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: SOT23
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CJK2009 datasheet
cjk2009.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-3L 3 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m 25 1 @-4.5V -20V -9A 1. BASE 2 m @-2.5V 30 2. EMITTER 3. COLLECTOR Feature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance wi
Otros transistores... CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , AO3400A , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 .
History: FTK830P | WPT2N32
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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