CJK2009 Todos los transistores

 

CJK2009 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJK2009
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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CJK2009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  jiangsu
 cjk2009.pdf pdf_icon

CJK2009

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3L 3ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m25 1 @-4.5V-20V -9A1. BASE 2m@-2.5V302. EMITTER3. COLLECTORFeature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance wi

Otros transistores... CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , RU6888R , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 .

History: BSC0925ND | RFM12N10L | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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