CJK2009 - описание и поиск аналогов

 

CJK2009. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJK2009

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для CJK2009

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK2009 даташит

 ..1. Size:687K  jiangsu
 cjk2009.pdf pdf_icon

CJK2009

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-3L 3 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m 25 1 @-4.5V -20V -9A 1. BASE 2 m @-2.5V 30 2. EMITTER 3. COLLECTOR Feature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance wi

Другие MOSFET... CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , AO3400A , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 .

History: 2SK1446LS | 2SK2360 | FTK123 | FTK630P | MT7N65 | CJK2333

 

 

 

 

↑ Back to Top
.