Справочник MOSFET. CJK2009

 

CJK2009 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJK2009
   Маркировка: .2009
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для CJK2009

 

 

CJK2009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  jiangsu
 cjk2009.pdf

CJK2009 CJK2009

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3L 3ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m25 1 @-4.5V-20V -9A1. BASE 2m@-2.5V302. EMITTER3. COLLECTORFeature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance wi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top