Справочник MOSFET. CJK2009

 

CJK2009 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJK2009
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для CJK2009

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK2009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  jiangsu
 cjk2009.pdf pdf_icon

CJK2009

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3L 3ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m25 1 @-4.5V-20V -9A1. BASE 2m@-2.5V302. EMITTER3. COLLECTORFeature Application Advanced trench MOSFET process technology PWM application Ultra low on-resistance wi

Другие MOSFET... CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , RU6888R , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 .

History: FDS7288N3 | SQ3456BEV | VBZC8205B | VS4N65CD | AOC3868 | FDFMA2P029Z | AP4N2R6P

 

 
Back to Top

 


 
.