CJL2013 Todos los transistores

 

CJL2013 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJL2013

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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CJL2013 datasheet

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CJL2013

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2013 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP SOT-23-6L 12.2 m @4.5V 12.9 m @3.8V 20V 6A 13.6 m @3.1V m 14.9 @2.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management Hig

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CJL2013

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2016 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP SOT-23-6L 15.7 m @4.5V @3.8V 16.4m 6A 20 V @2.5V 20 m FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Curr

Otros transistores... CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , IRF830 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 .

History: APTM100A23SCTG | AP4423GM | AP95T10GI | AP9971AGM | 2SK1776 | AP15P10GP-HF | IRFS254B

 

 

 

 

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