CJL2013 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJL2013
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CJL2013 Datasheet (PDF)
cjl2013.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2013 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPSOT-23-6L 12.2 m@4.5V12.9 m@3.8V20V 6A13.6 m@3.1Vm14.9 @2.5VFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management Hig
cjl2016.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2016 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPSOT-23-6L 15.7 m@4.5V@3.8V16.4m 6A20V@2.5V20 mFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Curr
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PHD50N03LT | AP4604IN | STD14NM50N | 2SK1637 | IRL8113LPBF | IRLSZ34A | 2SK1471
History: PHD50N03LT | AP4604IN | STD14NM50N | 2SK1637 | IRL8113LPBF | IRLSZ34A | 2SK1471



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet