SSH60N10A Todos los transistores

SSH60N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH60N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO3P

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros