Справочник MOSFET. SSH60N10A

 

SSH60N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH60N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH60N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH60N10A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:402K  samsung
ssh60n08.pdfpdf_icon

SSH60N10A

SSH60N10 PCB24

Другие MOSFET... SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , 2SK3568 , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A .

History: NDB6050 | 2SK1586 | SSH70N10A

 

 
Back to Top

 


 
.