SSH60N10A - описание и поиск аналогов

 

SSH60N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH60N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH60N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH60N10A даташит

 8.1. Size:402K  samsung
ssh60n08.pdfpdf_icon

SSH60N10A

SSH60N10 PCB 24

Другие MOSFET... SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , 4435 , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A .

History: IRF623FI | STD4NK80Z | 2SK1685 | SM4802DSK | FHF7N65B | AO4458

 

 

 

 

↑ Back to Top
.